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temperatura di giunzione del diodo LLDB4 -40~+110°C di innesco SMD del DIAC 35-45V

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temperatura di giunzione del diodo LLDB4 -40~+110°C di innesco SMD del DIAC 35-45V

Grande immagine : temperatura di giunzione del diodo LLDB4 -40~+110°C di innesco SMD del DIAC 35-45V

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001/RohS
Numero di modello:	LLDB4

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	2500pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in bobina, 2500pcs/reel
Tempi di consegna:	10 - 15 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione:	100000pcs a 1 settimana

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

numero parte:	LLDB4	VBO:	35-45V
IR:	10uA	Pacchetto:	SOD-80/LL-34
imballaggio:	Nastro in bobina	Temperatura di giunzione:	-40~+110°C
Evidenziare:	bidirectional trigger diode , db3 diac trigger diode

Diodo bidirezionale LLDB4 di innesco del DIAC di SMD con il mini pacchetto di vetro di Melf

Caratteristiche

1. VBO: 40V (TIPO)

2. Gamma di tensione di accensione: 35 a 45V

Applicazioni

Funzionando come diodo di innesco con un riferimento a voltaggio fisso, il LLDB4 può essere utilizzato nella congiunzione

con i triac per i circuiti di controllo semplificati del portone o come segnale di start in zavorre della lampada fluorescente.

Valutazioni massime assolute

Corrente di punta ripetitiva dello su stato (tp=20μs F=120 hertz)	ITRM	2	A
Gamma di temperature di funzionamento della giunzione	Tj	-40 ~ +125	℃
Gamma di temperature di stoccaggio	Tstg	-40 ~ +125	℃

Caratteristiche elettriche

Parametro	Simbolo	Condizioni di prova		Valore	Unità
Voltage* della continuazione	VBO		MIN.	35	V
			TIPO.	40
			MASSIMO.	45
Simmetria di tensione di accensione	\|VBO1-VBO2\|	C=22nF **	MASSIMO.	±3	V
Voltage* dinamico della continuazione	△V	VBO e VF a 10mA	MIN.	5	V
Voltage* dell'uscita	Vo	vedi il diagramma 2 (R=20Ω)	MIN.	5	V
Current* della continuazione	IBOS	C=22nF **	MASSIMO.	50	μA
Time* di aumento	TR	vedi il diagramma 3	MASSIMO.	2	μs
Current* di perdita	IR	VR=0.5VBO massimo	MASSIMO.	10	μA

Dimensione:

temperatura di giunzione del diodo LLDB4 -40~+110°C di innesco SMD del DIAC 35-45V 0

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OEM/ODM: siamo sicuri noi possiamo incontrarvi requisiti di OEM/ODm.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Bixia Wu

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