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Diodo direzionale LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 di innesco del DIAC della Bi sigillato vetro

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Diodo direzionale LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 di innesco del DIAC della Bi sigillato vetro

Grande immagine : Diodo direzionale LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 di innesco del DIAC della Bi sigillato vetro

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001
Numero di modello:	LLDB3 LLDB4 LLDB6

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	5000pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in bobina, 2500pcs/reel, 100000pcs/ctn
Tempi di consegna:	3-5 giornata lavorativa
Termini di pagamento:	T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione:	100000pcs a 1 settimana

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Numero del pezzo:	LLDB3 LLDB4 LLDB6	VBO:	56-70V
IR:	10uA	Pacchetto:	SOD-80
Gamma di temperature di operazione:	-40°c - +125°c	Gamma di temperature di stoccaggio:	-40°c - +125°c
Evidenziare:	db3 diac diode , db3 diac trigger diode

Diodo bidirezionale Vetro-sigillato LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 di innesco

Caratteristiche

VBO: 60V
Gamma di tensione di accensione: 56 a 70V

Applicazioni

Funzionando come diodo di innesco con un riferimento a voltaggio fisso, il DB3 può essere utilizzato nella congiunzione

con i triac per i circuiti di controllo semplificati del portone o come segnale di start in zavorre della lampada fluorescente.

Valutazioni massime assolute

Corrente di punta ripetitiva dello su stato (tp=20μs F=120 hertz)	ITRM	2	A
Gamma di temperature di funzionamento della giunzione	Tj	-40 ~ +125	℃
Gamma di temperature di stoccaggio	Tstg	-40 ~ +125	℃

Caratteristiche elettriche

Parametro	Simbolo	Condizioni di prova		Valore	Unità
Voltage* della continuazione	VBO	C=22nF **	MIN.	28	V
			TIPO.	32
			MASSIMO.	36
Simmetria di tensione di accensione	\|VBO1-VBO2\|	C=22nF **	MASSIMO.	±3	V
Voltage* dinamico della continuazione	△V	VBO e VF a 10mA	MIN.	5	V
Voltage* dell'uscita	Vo	vedi il diagramma 2 (R=20Ω)	MIN.	5	V
Current* della continuazione	IBOS	C=22nF **	MASSIMO.	50	μA
Time* di aumento	TR	vedi il diagramma 3	MASSIMO.	2	μs
Current* di perdita	IR	VR=0.5VBO massimo	MASSIMO.	10	μA

Diodo direzionale LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80 di innesco del DIAC della Bi sigillato vetro 0

I nostri vantaggi:

1. le attrezzature avanzate, sistema di gestione della qualità ed elaborano rigorosamente.
2. una vasta gamma di prodotti permette ai clienti di avere un acquisto del destinaton.

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: Patty Huang

Telefono: +8618761557550