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Casa ProdottiDiodo di innesco del DIAC

diodo bidirezionale DB3 di innesco 28-36V con approvazione inversa bassa di perdita ROHS

Porcellana Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificazioni
Porcellana Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificazioni
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diodo bidirezionale DB3 di innesco 28-36V con approvazione inversa bassa di perdita ROHS

28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval
28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval 28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval 28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval

Grande immagine :  diodo bidirezionale DB3 di innesco 28-36V con approvazione inversa bassa di perdita ROHS

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: XUYANG
Certificazione: ISO9001
Numero di modello: DB3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 5000pcs
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: nastro in scatola, 5000pcs/box
Tempi di consegna: 5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione: 100000pcs a 1 settimana
Descrizione di prodotto dettagliata
numero parte: DB3 VBO: 28-36V
Pacchetto: DO-41 Temperatura di giunzione: -40~+110°C
imballaggio: nastro in scatola Spedizione vicino: DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mare
Evidenziare:

db3 diac diode

,

db3 diac trigger diode

Diodo bidirezionale DB3 di innesco del DIAC di ROHS con DO-41 attraverso il pacchetto del foro

 

Caratteristiche

1. Perdita inversa bassa

2. Alta capacità di impulso di andata

3. Saldatura ad alta temperatura garantita: 250℃/10 secondi, 0,375" lunghezza del cavo (di 9.5mm)

 

 

Dati meccanici

· Terminali: Terminali assiali placcati
· Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo
· Posizione di montaggio: C'è ne

 

 

Valutazioni massime assolute

Simboli Parametro Valore Unità
DB3
Pc

Dissipazione di potere sullo stampato su

Circuito [L=10mm]

TA=50℃ 150 Mw
ITRM

Su stato di punta ripetitivo

Corrente

tp=10us

F=100Hz

2,0 A
TSTG/TJ Stoccaggio e 0 temperature di giunzione perating -40 a +125/-40 - 110

 

Caratteristiche elettriche

Parametro Simbolo Condizioni di prova Valore Unità
Tensione di accensione VBO   MIN. 28 V
TIPO. 32
MASSIMO. 36
Simmetria di tensione di accensione |VBO1-VBO2| C=22nF ** MASSIMO. ±3 V
Voltage* dinamico della continuazione △V VBO e VF a 10mA MIN. 5 V
Voltage* dell'uscita VO vedi il diagramma 2 (R=20Ω) MIN. 5 V
Current* della continuazione IBOS C=22nF ** MASSIMO. 100 μA
Time* di aumento TR   MASSIMO. 1,5 μs
Current* di perdita IR VR=0.5VBO massimo MASSIMO. 10 μA

Note: caratteristiche 1.Electrical applicabili sia nelle direzioni di andata che inverse.
           2.Connected in parallelo con i dispositivi.

 

diodo bidirezionale DB3 di innesco 28-36V con approvazione inversa bassa di perdita ROHS 0

 

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Dettagli di contatto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona di contatto: Bixia Wu

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