0,5 ampèri 20 volt di Schottky della barriera di diodo di raddrizzatore MBR0520LT1
Il raddrizzatore di potere di Schottky impiega il principio della barriera di Schottky con un metallo della barriera quello
produce la compensazione ottimale della corrente del drop−reverse di tensione di andata. Adatto a Nel migliore dei casi per bassa tensione,
rettifica ad alta frequenza, o come diodi di protezione di polarità e liberamente di giro in supporto di superficie
applicazioni dove la dimensione compatta ed il peso sono critici al sistema. Questo pacchetto fornisce
un'alternativa al pacchetto senza piombo di stile di 34 MELF. Questi dispositivi dello state−of−the−art hanno
le seguenti caratteristiche:
Caratteristiche:
• Guardring per protezione di sforzo
• Molto in basso tensione di andata (0,38 V @ 0,5 A massimo, 25°C)
• temperatura di giunzione di funzionamento 125°C
• L'epossidico incontra l'UL 94 V−0 @ 0,125 dentro
• Pacchetto progettato per l'Assemblea automatizzata ottimale del bordo
• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili
Dati meccanici
• Designatore di polarità: Banda del catodo
• Peso: mg 11,7 (approssimativamente)
• Caso: Epossidico, modellato
• Rivestimento: Tutto l'esterno sorge resistente alla corrosione ed i cavi terminali sono prontamente Solderable
• Temperatura della superficie di montaggio e del cavo per gli scopi di saldatura: massimo 260°C per 10 secondi
VALUTAZIONI MASSIME
| Valutazione |
Simbolo |
Valore |
Unità |
|
Tensione inversa ripetitiva di punta
Tensione inversa di punta di lavoro
Tensione di didascalia di CC
|
VRRM
VRWM
VR
|
20 |
V |
|
La media ha rettificato la corrente di andata
(VR stimato, TL = 90°C)
|
SE (AVOIRDUPOIS) |
0,5 |
A |
|
Punta di corrente del picco di Non−Repetitive
(Impulso applicato agli stati di carico nominale a semi onda, alla monofase, 60 hertz)
|
IFSM |
5,5 |
A |
| Gamma di temperature di stoccaggio |
Tstg |
−65 a +150 |
°C |
| Temperatura di giunzione di funzionamento |
TJ |
−65 a +125 |
°C |
| Tasso di tensione di cambiamento (VR stimati) |
dv/dt |
1000 |
V/μs |
|
Valutazioni di ESD: Modello a macchina = C
Modello del corpo umano = 3B
|
|
> 400
> 8000
|
V |
Gli sforzi che superano le valutazioni massime possono danneggiare il dispositivo. Le valutazioni massime sono sforzo
valutazioni soltanto. L'operazione funzionale sopra le condizioni di gestione raccomandate non è implicata.
L'esposizione estesa agli sforzi sopra le condizioni di gestione raccomandate può colpire
affidabilità del dispositivo.
CARATTERISTICHE TERMICHE
| Valutazione |
Simbolo |
Valore |
Unità |
| Resistenza termica; Junction−to−Ambient (nota 1) |
RdelθJA |
206 |
°C/W |
| Resistenza termica; Junction−to−Lead |
RdelθJL |
150 |
°C/W |
Caratteristiche elettriche
|
Tensione di andata istantanea massima (nota 2)
(se = 0,1 amp)
(se = 0,5 amp)
|
vF |
TJ = 25°C |
TJ = 100°C |
V |
|
0,300
0,385
|
0,220
0,330
|
|
Corrente inversa istantanea massima (nota 2)
(VR = 10 V)
(Tensione di CC stimata = 20 V)
|
IR |
TJ = 25°C |
TJ = 100°C |
mA |
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