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Diodo di barriera di Schottky del supporto della superficie di 1,0 amp DL5817 DL5818 DL5819

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Diodo di barriera di Schottky del supporto della superficie di 1,0 amp DL5817 DL5818 DL5819

Grande immagine : Diodo di barriera di Schottky del supporto della superficie di 1,0 amp DL5817 DL5818 DL5819

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001/RoHS
Numero di modello:	DL5817 DL5818 DL5819

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	5000
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in scatola, 5000pcs/box
Tempi di consegna:	5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione:	100000pcs a 1 settimana

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Nome:	Diodo Schottky	Numero del pezzo:	DL5817 DL5818 DL5819
corrente:	1A	Tensione:	20-40V
Pacchetto:	MELF	SPQ:	5000pcs
Stato senza piombo:	Senza piombo/RoHS	Spedizione vicino:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mare
Evidenziare:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

Diodo di raddrizzatore della barriera di Schottky del supporto della superficie di 1,0 amp DL5817 DL5818 DL5819

CARATTERISTICHE

* caduta di tensione di andata bassa

* corrente bassa di perdita

* alta affidabilità

DATI MECCANICI

* caso: Plastica modellata

* epossidico: Tasso dell'UL 94V-0 ignifugo

* costruzione metallurgico legata

* polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo

* posizione di montaggio: C'è ne

VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE

Otherwies dei uniess di temperatura ambiente di valutazione 25°C specificati.

Carico resistente o induttivo di semionda, di 60Hz, di monofase.

Per il carico capacitivo, riduca le imposte sulla corrente da 20%.

SCRIVA IL NUMERO A MACCHINA	DL5817	DL5818	DL5819	UNITÀ
Tensione inversa di punta ricorrente massima	20	30	40	V
Tensione massima di RMS	14	21	28	V
Tensione di didascalia massima di CC	20	30	40	V
Corrente in avanti rettificata media massima .375" lunghezza del cavo (di 9.5mm) a Ta=90 C	1,0			A
Punta di corrente di andata di punta, una singola semionda sinusoidale di 8,3 spettrografie di massa sovrapposto sul carico nominale (metodo di JEDEC)	25			A
Tensione di andata istantanea massima a 1.0A	0,45	0,55	0,60	A
Corrente inversa Ta=25°C di CC di massimo	1,0			mA
a tensione di didascalia stimata di CC Ta=100°C	10			mA
Capacità di giunzione tipica (Note1)	110			PF
Resistenza termica tipica Rq JA (nota 2)	80			°C/W
Gamma di temperatura di funzionamento T J	-65 +125			°C
Gamma di temperature di stoccaggio T STG	-65 +125			°C

Dimensione:

Diodo di barriera di Schottky del supporto della superficie di 1,0 amp DL5817 DL5818 DL5819 0

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Alta qualità: aiutivi ad evitare acquistare il rischio.

Metta la consegna in cortocircuito: aiutivi a salvare il tempo.

Prezzo competitivo: il prezzo non è la prestazione di costo più bassa ma più alta

OEM/ODM: siamo sicuri noi possiamo incontrarvi requisiti di OEM/ODm.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Bixia Wu

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