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8A 80 - diodo di raddrizzatore di 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con il pacchetto di D2PAK

Porcellana Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificazioni
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8A 80 - diodo di raddrizzatore di 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con il pacchetto di D2PAK

8A 80 - 100V Schottky Rectifier Diode 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF With D2PAK Package
8A 80 - 100V Schottky Rectifier Diode 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF With D2PAK Package 8A 80 - 100V Schottky Rectifier Diode 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF With D2PAK Package 8A 80 - 100V Schottky Rectifier Diode 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF With D2PAK Package

Grande immagine :  8A 80 - diodo di raddrizzatore di 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con il pacchetto di D2PAK

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: XUYANG
Certificazione: ISO9001/RoHS
Numero di modello: 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: bimettalico
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: nastro in bobina, 800pcs/reel
Tempi di consegna: 15 - 20 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione: 100000pcs a 1 settimana
Descrizione di prodotto dettagliata
nome: Diodo Schottky numero parte: 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF
Se: 8A Tensione: 80-100V
Pacchetto: D2PAK/TO-262 Temperatura di giunzione: -55-175°C
Evidenziare:

low leakage schottky diode

,

1n5820 schottky diode

8A 80 - diodo di raddrizzatore di 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con il pacchetto di D2PAK

 

 

CARATTERISTICHE

 

Il 8TQ. La serie del raddrizzatore di Schottky è stata ottimizzata per perdita inversa bassa a temperatura elevata.

La tecnologia privata della barriera tiene conto l'operazione affidabile fino alla temperatura di giunzione di 175° C.

Le applicazioni tipiche sono nelle alimentazioni elettriche di commutazione, in convertitori, in diodi libero spingenti e nell'inverso
protezione della batteria.
* operazione di 175° C TJ
* elevata purezza, incapsulamento a resina epossidica ad alta temperatura per forza meccanica migliorata e

resistenza all'umidità
* caduta di tensione di andata bassa
* operazione ad alta frequenza
* anello di guardia per irregolarità migliorata ed affidabilità a lungo termine
* senza piombo (suffisso «di PbF»)

 

VALUTAZIONI E CARATTERISTICHE IMPORTANTI
SIMBOLO CARATTERISTICHE VALORI UNITÀ
SE (AVOIRDUPOIS) Forma d'onda rettangolare 8 A
VRRM   80-100 V
IFSM @ tp = un seno di 5 μs 850 A
VF @ 8 Apk, TJ = °C 125 (per gamba) 0,58 V
TJ Gamma - 55 - 175 °C

 

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE
PARAMETRO SIMBOLO CONDIZIONI DI PROVA VALORI UNITÀ

Media massima per gamba

corrente di andata per dispositivo

SE (AVOIRDUPOIS) duty cycle di 50% a TC = 155 °C, forma d'onda rettangolare 5 A
10
Punta di corrente non ripetitiva del ciclo massimo del picco uno per gamba IFSM un seno di 5 μs o un rect di 3 μs. impulso

A seguito di qualsiasi carico nominale

termine e con stimato

VRRM applicato

620 A
un seno di 10 spettrografie di massa o un rect di 6 spettrografie di massa. impulso 115
Energia non ripetitiva della valanga per gamba EAS TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 10 MH 5 mJ
Corrente ripetitiva della valanga per gamba IAR

Corrente che si decompone linearmente per azzerare dentro i μs 1

Frequenza limitata dal massimo di TJ VA = 1,5 x VR tipici

1 A

 

Valutazioni di tensione

Numero del pezzo 8TQ080SPbF 8TQ100SPbF
Tensione Inversa di VR Max. DC (v) 80 100
Tensione inversa di VRWM Max. Working Peak (v)

 

Valutazioni massime assolute

Parametri 8TQ Unità Circostanze
SE (avoirdupois) corrente di Max. Average Forward 8 A duty cycle di 50% @ TC = 157° C, forma di onda rettangolare
Punta di corrente non ripetitiva del ciclo di IFSM Max. Peak uno 850 A seno 5μs o 3μs Rect. impulso
230 seno 10ms o 6ms Rect. impulso
Energia non ripetitiva della valanga di EAS 7,50 mJ TJ = 25 °C, IAS = 0,50 amp, L = 60 MH
Corrente ripetitiva della valanga di IAR 0,50 A Corrente che si decompone linearmente per azzerare dentro 1 frequenza del μsec limitata dal massimo di TJ VA = 1,5 x VR tipici

 

Specifiche elettriche

Parametri 8TQ Unità Circostanze
Caduta di tensione di FM Max. Forward (1) 0,72 V @ 8A TJ = °C 25
0,88 V @ 16A
0,58 V @ 8A °C di TJ =1 25
0,69 V @ 16A
Corrente di IRM Max. Reverse Leakage (1) 0,55 mA TJ = °C 25 VR = ha valutato VR
7 mA °C di TJ =1 25
Capacità di giunzione massima di CT 500 PF Del segnale della prova °C VR = 5VDC (gamma 100Khz a 1Mhz) 25
Induttanza tipica di serie di LS 8 NH Misurato conduca per condurre 5mm dal corpo del pacchetto
tasso di dv/dt Max. Voltage di cambiamento (VR stimati) 10000 V/ μs  

 

Specifiche Termale-meccaniche

Parametri 8TQ Unità Circostanze
Gamma di temperature massima della giunzione di TJ -55 - 175 °C  
Gamma di temperature massima di stoccaggio di Tstg -55 - 175 °C  
Giunzione di resistenza termica massima di RthJC al caso 2,0 °C/W Operazione di CC
Resistenza termica tipica di RthCS, caso al dissipatore di calore 0,50 °C/W Superficie di montaggio, liscio ed unto
peso approssimativo del peso 2 (0,07) g (oncia.)  
Coppia di torsione del montaggio di T Min. 6 (5)

Chilogrammo-cm

(Ibf-in)

 
Massimo. 12 (10)    

 

Disegno:

8A 80 - diodo di raddrizzatore di 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con il pacchetto di D2PAK 0

 

8A 80 - diodo di raddrizzatore di 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con il pacchetto di D2PAK 1

 

 

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Migliore servizio: con 10 anni di esperienza in personale di esportazione gli fornirà un servizio.

Alta qualità: aiutivi ad evitare acquistare il rischio.

Metta la consegna in cortocircuito: aiutivi a salvare il tempo.

Prezzo competitivo: il prezzo non è la prestazione di costo più bassa ma più alta

OEM/ODM: siamo sicuri noi possiamo incontrarvi requisiti di OEM/ODm.

Dettagli di contatto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona di contatto: Bixia Wu

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