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Diodo di barriera di 10MQ100N SMD Schottky per protezione inversa della batteria

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Diodo di barriera di 10MQ100N SMD Schottky per protezione inversa della batteria

Grande immagine : Diodo di barriera di 10MQ100N SMD Schottky per protezione inversa della batteria

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001/RoHS
Numero di modello:	10MQ100N

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	5000
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in bobina, 3000pcs/reel
Tempi di consegna:	5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione:	100000pcs a 1 settimana

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

nome:	diodo Schottky dello smd	numero parte:	10MQ100N
Corrente:	2.1A	Tensione:	100V
Pacchetto:	SMA/DO-214AC	SPQ:	5000pcs
Stato senza piombo:	Senza piombo/RoHS	Spedizione vicino:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mare
Evidenziare:	low leakage schottky diode , 1n5820 schottky diode

Diodo di barriera di 10MQ100N SMD Schottky con il caso di 100V 2.1A DO214AC

Con le forti capacità di R & S, l'attrezzatura di produzione avanzata ed i dispositivi perfetti di misura.

Assicuriamo i prodotti qualificati ed il servizio conformemente al sistema di gestione della qualità ISO9001.

Tutti i prodotti hanno passato la prova pericolosa della sostanza, le norme rispettate dell'UE e U.S.A.

Caratteristiche

Il raddrizzatore di Schottky del supporto della superficie 10MQ100N è stato progettato per le applicazioni che richiedono il minimo

la goccia di andata ed il piede molto piccolo stampa sui bordi di PC. Le applicazioni tipiche sono nelle unità disco,

alimentazioni elettriche di commutazione, convertitori, diodi libero spingenti, batteria che si caricano e batteria inversa

protezione.

1. Piccola stampa del piede, montabile di superficie
2. caduta di tensione di andata bassa
3. operazione di alta frequenza
4. anello di guardia per irregolarità migliorata ed affidabilità a lungo termine

Valutazioni e caratteristiche importanti

Caratteristiche	10MQ100N	Unità
I CC DI F	2,1	A
VRRM	100	V
IFSM @ tp = un seno di 5 μs	120	A
VF @ 1.5Apk, TJ=125°C	0,68	V
Gamma di TJ	- 55 - 150	°C

Valutazioni di tensione

Numero del pezzo	10MQ100N
Tensione Inversa di VR Max. DC (v)	100
Tensione inversa di VRWM Max. Working Peak (v)	100

Valutazioni massime assolute

Dimensione:

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: Bixia Wu