Diodi di raddrizzatore della barriera di B5819WS SMD Schottky 1A 40V SOD-323
Con le forti capacità di R & S, l'attrezzatura di produzione avanzata ed i dispositivi perfetti di misura.
Assicuriamo i prodotti qualificati ed il servizio conformemente al sistema di gestione della qualità ISO9001.
Tutti i prodotti hanno passato la prova pericolosa della sostanza, le norme rispettate dell'UE e U.S.A.
Applicazione:
I diodi Schottky ampiamente si applicano in circuiti elettronici come i commutatori, invertitori,
regolatori e driver.
Dati meccanici
Caso: Corpo di Moldedplastic
Terminali: Solde placcato capace per MIL-STD-750, metodo 2026 dei cavi
Polarità: Simboli di polarità segnati sul caso
Segno: B5817WS: SJ, B5818WS: SK, B5819WS: SL
VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE
Valutando 25 otherwies dei uniess di temperatura ambiente di C specificati.
Carico resistente o induttivo di semionda, di 60Hz, di monofase.
Per il carico capacitivo, riduca le imposte sulla corrente da 20%.
| Parametro |
Simbolo
|
B5817WS |
B5818WS |
B5819WS |
UNITÀ |
| Tensione inversa di punta ricorrente non ripetitiva |
VRM
|
20 |
30 |
40 |
V |
| Tensione inversa di RMS |
VRRM
VRWM
VR
|
14 |
21 |
28 |
V |
|
Tensione inversa di punta ripetitiva di punta
Tensione inversa di punta di lavoro
Tensione di didascalia di CC
|
VRM (RMS) |
20 |
30 |
40 |
V |
| La media ha rettificato la corrente d'uscita |
Io
|
1,0 |
A |
| Spettrografia di massa di andata di punta 8,3 della punta di corrente @ |
IFSM
|
25 |
A |
| Corrente di andata di punta ripetitiva |
IFRM
|
625 |
mA |
| Dissipazione di potere |
Palladio
|
250 |
Mw |
|
Giunzione di resistenza termica a
Ambientale
|
RθJA
|
500 |
℃/W |
| Gamma di temperature di stoccaggio T STG |
TSTG
|
-65 +150 |
℃ |
Caratteristiche elettriche (TJ = 25°C salvo indicazione contraria)
| Parametro |
Simbolo |
Condizione di prova |
Min |
Massimo |
Unità |
| Tensione di ripartizione inversa |
VBR |
IR = 100mA B5817WS
B5818WS
B5819WS
|
20
30
40
|
|
V |
| Corrente di perdita di tensione inversa |
IR |
VR = 20V B5817WS
VR = 30V B5818WS
VR = 40V B5819WS
|
|
1 |
mA |
| Tensione di andata |
VF |
B5817WS SE = 1A
SE = 3A
|
|
0,45
0,75
|
V |
| |
|
B5818WS SE = 1A
SE = 3A
|
|
0,55
0,875
|
V |
| |
|
B5819WS SE = 1A
SE = 3A
|
|
0,6
0,9
|
V |
| Capacità dei diodi |
CD |
VR = 4V, f =1.0 megahertz |
|
120 |
PF |
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