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Diodo Schottky del supporto della superficie di 10BQ100 1A per le unità disco/le alimentazioni elettriche di commutazione

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Diodo Schottky del supporto della superficie di 10BQ100 1A per le unità disco/le alimentazioni elettriche di commutazione

Grande immagine : Diodo Schottky del supporto della superficie di 10BQ100 1A per le unità disco/le alimentazioni elettriche di commutazione

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001
Numero di modello:	10BQ100

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	3000pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	3000pcs/box
Termini di pagamento:	T / T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione:	300000pcs/month

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Nome del prodotto:	10BQ100	Corrente:	1.0A
Tensione:	100V	SPQ:	30000pcs/box
Pacchetto:	SMB
Evidenziare:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

pacchetto del diodo di raddrizzatore della barriera di Schottky del supporto della superficie 1.0Ampere 10BQ100 SMB

CARATTERISTICHE:

Il raddrizzatore di Schottky del superficie-supporto 10BQ100 è stato
progettato per le applicazioni che richiedono goccia di andata bassa e molto
piccole stampe del piede sui bordi di PC. Le applicazioni tipiche sono in disco
azionamenti, alimentazioni elettriche di commutazione, convertitori, libero spingenti
diodi, batteria che si caricano e protezione inversa della batteria.
Piccola stampa del piede, montabile di superficie
Caduta di tensione di andata bassa
Operazione ad alta frequenza
Anello di guardia per irregolarità ed il lungo termine migliorati
affidabilità

Valutazioni di tensione

Numero del pezzo	10BQ100
V R di tensione Inversa di Max. DC (v)	100
V tensione inversa di RWM Max. Working Peak (v)	100

Valutazioni massime assolute

Parametri	10BQ	Unità	Circostanze
I corrente di F (avoirdupois) Max. Average Forward	1,0	A	duty cycle @ T di 50% L = 152 °C, forma di onda rettangolare
I ciclo del FSM Max. Peak uno non ripetitivo Punta di corrente	780	A	seno 5µs o 3µs Rect. impulso	A seguito di affatto stimato stato di carico e con la V stimata RRM applicata
	38		seno 10ms o 6ms Rect. impulso
E COME energia non ripetitiva della valanga	1,0	mJ	T J = 25 °C, I COME = 0.5A, L = 8mH
I corrente ripetitiva della valanga dell'AR	0,5	A	Corrente che si decompone linearmente per azzerare dentro 1 µsec Frequenza limitata dal massimo di T J Va = 1,5 x Vr tipico

Specifiche elettriche

Parametri	10BQ	Unità	Circostanze
V caduta di tensione di FM Max. Forward (1)	0,78	V	@ 1A	T J = °C 25
	0,89	V	@ 2A	T J = °C 25
	0,62	V	@ 1A	T J = °C 125
	0,72	V	@ 2A	T J = °C 125
I corrente di Max. Reverse Leakage di RM (1)	0,5	mA	T J = °C 25	V la R = ha valutato la V R
I corrente di Max. Reverse Leakage di RM (1)	1	mA	T J = °C 125	V la R = ha valutato la V R
Capacità di giunzione tipica di C T	42	PF	V CC R = 5V, (gamma 100kHz del segnale della prova a 1MHz) 25°C
L induttanza tipica di serie di S	2,0	NH	Misurato conduca per condurre 5mm dal corpo del pacchetto
aliquota di dv/dt Max. Volatge della tassa (V stimata R)	10000	V/ µs

(1) larghezza di impulso < 300="">

Specifiche Termale-meccaniche

Parametri	10BQ	Unità	Circostanze
*Gamma di temperature massima della giunzione di T J ()**	- 55 - 175	°C
Gamma di temperature massima di stoccaggio dello stg di T	- 55 - 175	°C
Giunzione massima di resistenza termica del thJL della R a cavo	36	°C/W	Operazione di CC
Giunzione massima di resistenza termica del thJA della R ad ambientale	80	°C/W
peso approssimativo del peso	0,10 (0,003)	g (oncia.)
Stile di caso	SMB		Simile DO-214AA
Segno del dispositivo	IR1J

Disegno:

Diodo Schottky del supporto della superficie di 10BQ100 1A per le unità disco/le alimentazioni elettriche di commutazione 0

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: Bixia Wu

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