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Perdita di potere basso di superficie del diodo Schottky 2A del supporto con alta efficienza

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Perdita di potere basso di superficie del diodo Schottky 2A del supporto con alta efficienza

Grande immagine : Perdita di potere basso di superficie del diodo Schottky 2A del supporto con alta efficienza

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001
Numero di modello:	SS22-SS26

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	3000pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	3000pcs/box
Termini di pagamento:	T / T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione:	300000pcs/month

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Nome del prodotto:	SS22-SS26	Corrente:	2.0A
Tensione:	20-60V	SPQ:	30000pcs/box
Pacchetto:	SMB
Evidenziare:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

nastro del raddrizzatore SS22-SS26 SMB Pakcage della barriera di Schottky del supporto della superficie 2.0Ampere in bobina

CARATTERISTICHE:

* ideale per l'applicazione di superficie della scelta e del posto del supporto
* pacchetto di basso profilo
* perdita di potere basso, alta efficienza
* capacità a corrente forte, Vf basso

* alta capacità di impulso

* saldatura di temperatura elevata garantita: 260 secondi C/10 ai terminali

DATI MECCANICI

• Terminale: Cavi placcati solderable per
MIL-STD 202E, metodo 208C
• Caso: Modellato con Vo della classe UL-94
epossidico ignifugo riconosciuto
• Polarità: La banda di colore denota il catodo

VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE

Valutazioni a 25 temperature ambienti di C salvo specificazione contraria.
Il carico induttivo di monofase 60Hz a semi onda, resistente o, per la corrente capacitiva del carico riduce le imposte su da 20%

SCRIVA IL NUMERO A MACCHINA	SS22	SS23	SS24	SS25	SS26	UNITÀ
Tensione inversa di punta ricorrente massima	20	30	40	50	60	V
Tensione massima di RMS	14	21	28	35	42	V
Tensione di didascalia massima di CC	20	30	40	50	60	V
Corrente in avanti rettificata media massima a T L 300	2,0					A
Punta di corrente di andata di punta, una singola semionda sinusoidale di 8,3 spettrografie di massa sovrapposto sul carico nominale (metodo di JEDEC)	50					A
Tensione di andata istantanea massima a 2.0A	0,50			0,70		V
Corrente inversa Ta=25 C di CC di massimo	0,5					mA
a tensione di didascalia stimata di CC Ta=100 C	20,0					mA
Capacità di giunzione tipica (Note1)	200					PF
Resistenza termica tipica Rq JA (nota 2)	25					o C/W
Temperatura di giunzione di operazione e di stoccaggio	-65 - +150					o C

Disegno:

Perdita di potere basso di superficie del diodo Schottky 2A del supporto con alta efficienza 0

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Alta qualità: aiutivi ad evitare acquistare il rischio.

Metta la consegna in cortocircuito: aiutivi a salvare il tempo.

Prezzo competitivo: il prezzo non è la prestazione di costo più bassa ma più alta

OEM/ODM: siamo sicuri noi possiamo incontrarvi requisiti di OEM/ODm.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Bixia Wu

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