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BEONE - plastica 23 - incapsuli il diodo Schottky ad alta velocità BAT54A BAT54C BAT54S

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BEONE - plastica 23 - incapsuli il diodo Schottky ad alta velocità BAT54A BAT54C BAT54S

Grande immagine : BEONE - plastica 23 - incapsuli il diodo Schottky ad alta velocità BAT54A BAT54C BAT54S

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001/RoHS
Numero di modello:	BAT54A BAT54C BAT54S

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	3000pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in bobina, 3000pcs/reel
Tempi di consegna:	5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione:	100000pcs a 1 settimana

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

numero parte:	BAT54A BAT54C BAT54S	VR:	30V
Pacchetto:	SOT-23	Dissipazione di potere:	200mA
Temperatura di stoccaggio:	-55-150℃	Corrente continua di andata:	200mW
Evidenziare:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

SOT-23 Plastica-incapsulano i diodi Schottky BAT54A BAT54C BAT54S dei diodi

Descrizione

Il diodo di Schottky (Schottky) inoltre è conosciuto come raddrizzatori della barriera di Schottky (SBR), è stato in

l'industria di alimentazione elettrica per 25 anni, è i dispositivi a bassa potenza e ultraelevati a semiconduttore della velocità,

ampiamente usato nei fornitori di potere di commutazione, convertitori di frequenza, circuito del driver, quale il livello

frequenza, bassa tensione, diodo di raddrizzatore a corrente forte, diodo della corrente continua, diodo di protezione,

o circuito di comunicazione di microonda come diodo di raddrizzatore, piccolo diodo di detecor del segnale.

BAT54A BAT54C BAT54S tutto hanno velocità di moto estremamente veloce.

Caratteristiche

Conduzione bassa e perdite inverse
Perdite trascurabili di commutazione
In basso trasmetta ed inverta i tempi di recupero
Estremamente digiuna la commutazione
Dispositivo di superficie del supporto
Diodo basso di capacità

Characteristics@TA elettrico =25℃

Parametro	Simbolo	MIN	Tipo	Massimo	Unità	Circostanze
Tensione di ripartizione inversa	V (BR) R	30			V	IR=100μA
Corrente inversa	VF1			0,24	V	IF=0.1mA
	VF2			0,32	V	IF=1mA
	VF3			0,40	V	IF=10mA
	VF4			0,50	V	IF=30mA
	VF5			1	V	IF=100mA
Corrente inversa	IR			2	μA	VR=25V
Capacità del diodo	CD			10	PF	VR=0V, f=1MHz
Tempo di recupero inverso	t r r			5	NS	IF=IR=10mA Irr=0.1XIR, RL=100Ω