Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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numero parte: | BAS86 | VR: | 50V |
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Pacchetto: | SOD-80C | Corrente di andata di punta ripetitiva: | 500mA |
Corrente di andata: | 200mA | Tipo: | Diodo Schottky barriera |
Evidenziare: | 1n914 switching diode,1n914 blocking diode |
Diodi Schottky a montaggio superficiale, componenti elettronici BAS86 50V
Caratteristiche
1. Anello di protezione integrato contro le scariche statiche
2. Tensione diretta molto bassa
applicazioni:
Valutazioni massime assolute
Tj = 25 ℃
Parametro | Condizioni di prova | Simbolo | Valore | Unità |
Tensione inversa | VR | 50 | V | |
Picco di corrente di picco | tp = 10 ms | IFSM | 5 | UN |
Corrente diretta di picco ripetitiva | tp≤1s | IFRM | 500 | mA |
Corrente diretta | SE | 200 | mA | |
Corrente diretta media | IFAV | 200 | mA | |
Temperatura di giunzione | Tj | 125 | ℃ | |
Intervallo di temperatura di conservazione | Tstg | -65 ~ + 150 | ℃ | |
Ambiente di giunzione | su scheda PC 50mmx50mmx1.6mm | RthJA | 320 | K / W |
caratteristiche elettriche
Tj = 25 C
Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | min | Typ | Max | Unità |
Tensione inversa di rottura | V (BR) R | IR = 10ìA (pulsato) | 30 | V | ||
Corrente di dispersione | IR | VR = 25 V. | 0.2 | 2 | uA | |
Tensione diretta | VF | Test impulsi tp <300μs IF = 0,1 mA IF = 1mA IF = 10mA IF = 30mA IF = 100mA | 0.5 | 0,24 0,32 0.4 0.8 | V | |
Capacità | CTOT | VR = 1V, f = 1MHz | 10 | pF | ||
Tempo di recupero inverso | TRR | IF = 10mA, IR = 10mA IR = 1mA | 5 | ns |
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Persona di contatto: Bixia Wu