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Diodo Schottky di amp 100v del caso 3 di 30BQ100 SMC

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Diodo Schottky di amp 100v del caso 3 di 30BQ100 SMC

Grande immagine : Diodo Schottky di amp 100v del caso 3 di 30BQ100 SMC

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001/RoHS
Numero di modello:	30BQ100

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	3000pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in bobina, 3000pcs/reel
Tempi di consegna:	15 - 20 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione:	100000pcs a 1 settimana

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Numero del pezzo:	30BQ100	SE:	3A
Tensione:	100V	Pacchetto:	SMC/DO-214AB
Temperatura di giunzione:	175°C	VF a SE:	0,62 V
IRM:	5 mA a °C 125	EAS:	3,0 mJ
Evidenziare:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

diodo di raddrizzatore di Schottky del supporto della superficie di 3Amp 100V 30BQ100 con il caso di SMC

CARATTERISTICHE
• Molto in basso trasmetta la caduta di tensione
• Anello di guardia per irregolarità migliorata ed affidabilità a lungo termine
• senza alogeno secondo la definizione di IEC 61249-2-21
• Piccola stampa del piede, montabile di superficie
• Operazione ad alta frequenza
• Livello 1 di raduni MSL, per J-STD-020, un picco massimo di LF di °C 260
• Compiacente alla direttiva 2015/863/EC di RoHS

DESCRIZIONE
Il raddrizzatore di Schottky del supporto della superficie 30BQ100 è stato progettato per le applicazioni che richiedono il minimo
la goccia di andata ed il piccolo piede stampa sui bordi di PC. Le applicazioni tipiche sono nelle unità disco, commutanti
alimentazioni elettriche, convertitori, guidare in folle i diodi, batteria che si caricano e protezione inversa della batteria.

VALUTAZIONI E CARATTERISTICHE IMPORTANTI
SIMBOLO	CARATTERISTICHE	VALORI	UNITÀ
SE (AVOIRDUPOIS)	Forma d'onda rettangolare	3,0	A
VRRM		100	V
IFSM	tp = un seno di 5 μs	800	A
VF	3,0 Apk, TJ = °C 125	0,62	V
TJ	Gamma	- 55 - 175	°C

VALUTAZIONI DI TENSIONE
PARAMETRO	SIMBOLO	30BQ100-M3	UNITÀ
Tensione inversa di CC di massimo	VR	100	V
Tensione inversa di punta di lavoro massima	VRWM	100	V

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE
PARAMETRO	SIMBOLO	Condizione di prova		VALORI	UNITÀ
Corrente di andata media massima	SE (AVOIRDUPOIS)	duty cycle di 50% a TL = 148 °C, forma d'onda rettangolare		3,0	A
		duty cycle di 50% a TL = 138 °C, forma d'onda rettangolare		4,0
Ciclo massimo del picco uno punta di corrente non ripetitiva	IFSM	un seno di 5 μs o un rect di 3 μs. impulso	A seguito di affatto stimato termine di carico e con VRRM stimato applicato	800
		un seno di 10 spettrografie di massa o un rect di 6 spettrografie di massa. impulso		70
Energia non ripetitiva della valanga	EAS	TJ = 25 °C, IAS = 1,0 A, L = 6 MH		3,0	mJ
Corrente ripetitiva della valanga	IAR	Corrente che si decompone linearmente per azzerare dentro i μs 1 Frequenza limitata dal massimo di TJ VA = 1,5 x VR tipici		0,5	A

SPECIFICHE ELETTRICHE
PARAMETRO	SIMBOLO	Condizione di prova		VALORI	UNITÀ
Caduta di tensione di andata massima	VFM (1)	3A	TJ = °C 25	0,79	V
		6A	TJ = °C 25	0,90
		3A	TJ = °C 125	0,62
		6A	TJ = °C 125	0,70
Corrente inversa massima di perdita	IRM	TJ = °C 25	VR = ha valutato VR	0,5
		TJ = °C 125	VR = ha valutato VR	5,0	mA
Capacità di giunzione massima	CT	VR = 5 VCC (gamma 100 chilocicli - 1 megahertz), del segnale della prova °C 25		115	PF
Serie tipica di induttanza	LS	Misurato conduca per condurre 5 millimetri dal corpo del pacchetto		3,0	NH
Tasso di tensione di cambiamento massimo	dV/dt	VR stimato		10 000	V/μs

Nota
(1) larghezza di impulso = 300 μs, duty cycle = 2%

TERMALE - SPECIFICHE MECCANICHE
PARAMETRO	SIMBOLO	Condizione di prova	VALORI	UNITÀ
Giunzione e stoccaggio massimi gamma di temperature	TJ (1), TStg		- 55 - 175	°C
Resistenza termica massima, giunzione a cavo	RthJL (2)	Operazione di CC	12	°C/W
Resistenza termica massima, giunzione ad ambientale	RthJA	Operazione di CC	46	°C/W

Disegno:
Diodo Schottky di amp 100v del caso 3 di 30BQ100 SMC 0

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