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Corrente inversa di commutazione ad alta velocità DO-34 di 1SS133 1SS244 DiodeLow

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Corrente inversa di commutazione ad alta velocità DO-34 di 1SS133 1SS244 DiodeLow

Grande immagine : Corrente inversa di commutazione ad alta velocità DO-34 di 1SS133 1SS244 DiodeLow

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001/RoHS
Numero di modello:	1SS133

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	5000pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in scatola, 5000pcs/box
Tempi di consegna:	5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione:	100000pcs a 1 settimana

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

nome:	diodo di commutazione ad alta velocità	numero parte:	1SS133
VR:	80v	Pacchetto:	DO-34
Tempo di recupero inverso:	4ns	Spedizione vicino:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mare
Evidenziare:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

Corrente inversa di commutazione ad alta velocità DO-34 di 1SS133 1SS244 DiodeLow

Caratteristiche
1. busta sigillata vetro.
2. alta affidabilità.
3. alta velocità.

Applicazioni
Commutazione ad alta velocità

Costruzione
Planare epitassiale del silicio

Valutazioni massime assolute
T_J =25℃

Parametro	Simbolo	Limite	Unità
Tensione inversa di CC	VR	80	V
Inverso di punta Voltage*1	VRM	90	V
Corrente di rettifica media	Io	130	mA
Corrente di andata di punta	IFM	400	mA
Punta di corrente (1s)	Isurge	600	mA
Dissipazione di potere	P	300	Mw
Temperatura di giunzione	Tj	175	°C
Temperatura di stoccaggio	ST	– 65 - +175	°C

Gli sforzi che superano le valutazioni massime possono danneggiare il dispositivo. Le valutazioni massime sono sforzo

valutazioni soltanto. L'operazione funzionale sopra le condizioni di gestione raccomandate non è implicata.

L'esposizione estesa agli sforzi sopra le condizioni di gestione raccomandate può colpire il dispositivo

affidabilità.

Caratteristiche elettriche
T_J =25℃

Parametro	Simbolo	Condizione di prova	Min	Tipo	Massimo	Unità
Tensione di andata	VF	SE = 100mA	—	0,92	1,0	V
Corrente inversa	IR	VR = 80V	—	0,02	0,5	μA
Capacità fra i terminali	C_T	VR = 0.5V, f =1.0 megahertz	—	1,55	2	PF
Tempo di recupero inverso	trr	VR = 0.5V, SE = 10mA, RL = 50Ω	—	1,5	4	NS

Corrente inversa di commutazione ad alta velocità DO-34 di 1SS133 1SS244 DiodeLow 0

Corrente inversa di commutazione ad alta velocità DO-34 di 1SS133 1SS244 DiodeLow 1
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