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Diodo di commutazione ad alta velocità di VR 250V 1SS83 con planare epitassiale del silicio

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Diodo di commutazione ad alta velocità di VR 250V 1SS83 con planare epitassiale del silicio

VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar
VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar

Grande immagine :  Diodo di commutazione ad alta velocità di VR 250V 1SS83 con planare epitassiale del silicio

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: XUYANG
Certificazione: ISO9001/RoHS
Numero di modello: 1SS83

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 5000pcs
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: nastro in scatola, 5000pcs/box
Tempi di consegna: 5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione: 100000pcs a 1 settimana
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
nome: diodo di commutazione ad alta tensione numero parte: 1SS83
VR: 250V Case: DO-35
Temperatura di giunzione: 175°C Temperatura di stoccaggio: – 65 a +175°C
Evidenziare:

small signal fast switching diodes

,

small signal switching diode

Planare epitassiale del silicio per il diodo di commutazione ad alta tensione 1SS83

 

 

Caratteristiche

 

• Alta tensione inversa (VR = 250V)

• Alta affidabilità con la guarnizione di vetro

.

Dati meccanici

Caso: Caso di vetro DO-35

Peso: approssimativamente 0.13g

 

Valutazioni massime assolute

Parametro Simbolo Limite Unità
Tensione inversa VR 250 V
Inverso di punta Voltage*1 VRM 300 V
La media ha rettificato la corrente Io 200 mA
Corrente di andata di punta IFM 625 mA
Punta di corrente di andata di punta non ripetitiva IFSM *2 1 A
Dissipazione di potere Palladio 400 Mw
Temperatura di giunzione Tj 175 °C
Temperatura di stoccaggio ST – 65 - +175 °C

 

Caratteristiche elettriche (TJ = 25°C salvo indicazione contraria)

Parametro Simbolo Condizione di prova Min Tipo Massimo Unità
Tensione di andata VF SE = 100mA — — 1,0 V
Corrente inversa IR1 VR = 200V — — 200 Na
IR2 VR = 300V — — 100 μA
Capacità C VR = 0V, f =1.0 megahertz — 1,5 — PF
Tempo di recupero inverso trr

SE = IR = 30mA,

IRR = 3 mA, RL = 100Ω

 — — 100 NS

 

Disegno:

Diodo di commutazione ad alta velocità di VR 250V 1SS83 con planare epitassiale del silicio 0

part1 diode.png

 

il nostro servizio:

La circostanza di riserva sta aggiornando sempre, benvenuto per contattarci per maggiori informazioni.

Promettiamo di citare soltanto i prodotti con lo stato reale di 100%, mai vendiamo ristrutturato o copiamo come originale.

Il nostro oggetto è di fare la cooperazione a lungo termine.

Scelgaci, voi ci troverà professionali, sempre affidabili e facili fare l'affare.

Società qui con fiducia, gli forniamo servizio di assistenza al cliente eccellente, voi mai non ci rammaricheremo di

scelta noi.

Prodotto Tag:

diodo di commutazione ultraveloce,

piccolo diodo di commutazione del segnale,

diodi di commutazione veloci del piccolo segnale

Dettagli di contatto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona di contatto: Bixia Wu

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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