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Diodi di commutazione veloci del piccolo segnale per tutti gli usi 1N4448 con il caso DO-35

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Diodi di commutazione veloci del piccolo segnale per tutti gli usi 1N4448 con il caso DO-35

General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case
General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case

Grande immagine :  Diodi di commutazione veloci del piccolo segnale per tutti gli usi 1N4448 con il caso DO-35

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: XUYANG
Certificazione: ISO9001/RoHS
Numero di modello: 1N4448

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 5000pcs
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: nastro in scatola, 5000pcs/box
Tempi di consegna: 5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione: 100000pcs a 1 settimana
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
nome: Diodo di commutazione numero parte: 1N4448
VR: 75V Case: DO-35
Temperatura di giunzione: 175°C Temperatura di stoccaggio: – 65 a +175°C
Evidenziare:

ultra fast switching diode

,

small signal switching diode

diodo ad alta velocità del diodo di commutazione 1N4448 piccolo singolo con il caso DO-35

 

 

Caratteristiche

 

• Diodo planare epitassiale del silicio

• Diodo di commutazione veloce.

• Questo diodo è inoltre disponibile in altri stili di caso compreso il caso SOD-123 con il tipo

designazione 1N4448W, il caso di MiniMELF con il tipo designazione LL4148, il SOT-23

caso con il tipo designazione IMBD4148.

.

Dati meccanici

Caso: Caso di vetro DO-35

Peso: approssimativamente 0.13g

 

Valutazioni massime e caratteristiche termiche (TUM = 25°C salvo indicazione contraria)

Parametro Simbolo Limite Unità
Tensione inversa VR 75 V
Tensione inversa di punta VRM 100 V

La media ha rettificato la corrente

Rettifica a semi onda con il carico resistivo a Tamb = a 25°C

 SE (AVOIRDUPOIS) 150 mA
Corrente di andata dell'impulso alla t < 1s="" and="" Tj="25°C IFSM 500 mA
Dissipazione di potere a Tamb = a 25°C Ptot 500 Mw
Giunzione di resistenza termica ad aria ambientale RθJA 350 °C/W
Temperatura di giunzione Tj 175 °C
Temperatura di stoccaggio ST – 65 - +175 °C

 

Caratteristiche elettriche (TJ = 25°C salvo indicazione contraria)

Parametro Simbolo Condizione di prova Min Tipo Massimo Unità
Tensione di andata VF

SE = 5mA

SE = 100mA

0,62

—

—

—

0,70

1,0

 V
Corrente di perdita IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

—

—

—

—

—

—

25

5

50

Na

μA

μA
Tensione di ripartizione inversa V (BR) R IR = 100ìA (pulsati) 100 — — V
Capacità Ctot VF = VR = 0V — — 4 PF
Tempo di recupero inverso trr

SE = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

 — — 4 NS
Efficienza di rettifica nanovolt f = 100MHz, VRF = 2V 0,45 — — —

 

Disegno:

Diodi di commutazione veloci del piccolo segnale per tutti gli usi 1N4448 con il caso DO-35 0

part1 diode.png

 

il nostro servizio:

La circostanza di riserva sta aggiornando sempre, benvenuto per contattarci per maggiori informazioni.

Promettiamo di citare soltanto i prodotti con lo stato reale di 100%, mai vendiamo ristrutturato o copiamo come originale.

Il nostro oggetto è di fare la cooperazione a lungo termine.

Scelgaci, voi ci troverà professionali, sempre affidabili e facili fare l'affare.

Società qui con fiducia, gli forniamo servizio di assistenza al cliente eccellente, voi mai non ci rammaricheremo di

scelta noi.

Prodotto Tag:

diodo di commutazione ultraveloce,

piccolo diodo di commutazione del segnale,

diodi di commutazione veloci del piccolo segnale

Dettagli di contatto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona di contatto: Bixia Wu

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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