Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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numero parte: | ES2A-ES2J | Corrente: | 2A |
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Tensione: | 50-600V | Pacchetto: | SMB |
SPQ: | 3000pcs | ROHS: | Sì |
Evidenziare: | ultrafast bridge rectifier,fast recovery bridge rectifier |
il vetro ultraveloce del diodo del raddrizzatore al silicio di recupero 2Amp ha passivato 50-600V ES2A-ES2J SMB DO-214AA
CARATTERISTICHE
Giunzioni del chip passivate vetro del ●
Ideale del ● per la disposizione automatizzata
Tempo di recupero inverso ultraveloce del ●
per alta efficienza
Pacchetto di basso profilo del ●
Alta capacità di impulso di andata del ●
Saldatura di temperatura elevata del ●:
secondi 260℃/10 ai terminali
Componente del ● nell'accordo a
RoHS 2002/95/1 e WEEE 2002/96/EC
Data meccanica
Caso del ●: Plastica modellata DO-214AA di JEDEC
corpo sopra il chip passivato
Terminali del ●: Lega per saldatura placcata, solderable per
J-STD-002B e JESD22-B102D
Polarità del ●: La banda del laser denota l'estremità del catodo
VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE
Valutando 25 otherwies dei uniess di temperatura ambiente di C specificati.
Carico resistente o induttivo di semionda, di 60Hz, di monofase.
Per il carico capacitivo, riduca le imposte sulla corrente da 20%.
Parametro | Simbolo | ES2A | ES2B | ES2C | ES2D | ES2E | ES2G | ES2J | UNITÀ | ||
Tensione inversa di punta ripetitiva massima | VRRM | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | V | ||
Tensione in ingresso massima del ponte di RMS | VRMS | 35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 280 | 420 | V | ||
Tensione di didascalia massima di CC | VCC | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | V | ||
Caduta di tensione di andata istantanea massima per gamba a 2.0A |
VF | 0,95 | 1,25 | 1,70 | V | ||||||
Corrente inversa di CC di massimo ai TUM stimati =25 C Tensione di didascalia di CC per TUM =100 C dell'elemento |
IR |
5,0 500 |
μA | ||||||||
Medio massimo in avanti rettificato corrente d'uscita a TA=40 C |
SE (AVOIRDUPOIS) | 2,0 | A | ||||||||
Punta di corrente di andata di punta, una singola semionda sinusoidale di 8,3 spettrografie di massa sovrapposto sul carico nominale (metodo di JEDEC) |
IFSM | 50 | A | ||||||||
Resistenza termica tipica per elemento (1) | ReJA | 25 | ℃/W | ||||||||
Temperatura di funzionamento di stoccaggio e della giunzione gamma |
TJ, TSTG |
-55--150 | ℃ |
Dimensione:
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Persona di contatto: Bixia Wu