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il vetro ultraveloce del diodo di raddrizzatore di recupero 1Amp ha passivato 50-1000V RGP10A-M DO-41

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il vetro ultraveloce del diodo di raddrizzatore di recupero 1Amp ha passivato 50-1000V RGP10A-M DO-41

Grande immagine : il vetro ultraveloce del diodo di raddrizzatore di recupero 1Amp ha passivato 50-1000V RGP10A-M DO-41

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	XUYANG
Certificazione:	ISO9001
Numero di modello:	RGP10A-M

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	5000pcs
Prezzo:	negotiation
Imballaggi particolari:	nastro in scatola, 5000pcs/box
Tempi di consegna:	5 - 8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T / T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione:	3500000PCS/Month

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

numero parte:	RGP10A-M	Corrente:	1A
Tensione:	50-1000V	Pacchetto:	DO-41
SPQ:	5000pcs	ROHS:	Sì
Evidenziare:	ultrafast bridge rectifier , fast recovery bridge rectifier

il vetro veloce eccellente del raddrizzatore al silicio di recupero 1Amp ha passivato 50-1000V RGP10A-M DO-41

CARATTERISTICHE

Giunzioni del chip passivate vetro del ●
Ideale del ● per la disposizione automatizzata
Tempo di recupero inverso ultraveloce del ●
per alta efficienza
Pacchetto di basso profilo del ●
Alta capacità di impulso di andata del ●
Saldatura di temperatura elevata del ●:
secondi 260℃/10 ai terminali
Componente del ● nell'accordo a
RoHS 2002/95/1 e WEEE 2002/96/EC

Data meccanica

Simbolo	Parametro	Valore							Unità
Simbolo	Parametro	10A	10B	10D	10G	10J	10K	10m	Unità
V RRM	Tensione inversa ripetitiva massima	50	100	200	400	600	800	1000	V
I F (AVOIRDUPOIS)	La media ha rettificato la corrente di andata, .375" lunghezza @ T del cavo L = 55°C	1,0							A
I FSM	Punta di corrente di andata di punta non ripetitiva 8,3 spettrografia di massa singola semionda sinusoidale	30							A
Stg di T	Gamma di temperature di stoccaggio	-65 - +175							°C
T J	Temperatura di giunzione di funzionamento	-65 - +175							°C

* queste valutazioni sono valori limite sopra cui l'utilità di tutto il dispositivo a semiconduttore può essere alterata

Caratteristiche termiche

Symboy	Paramete	Valore	Unità
P D	Dissipazione di potere	3,0	W
R del θJA	Resistenza termica, giunzione ad ambientale	50	°C/W

Caratteristiche elettriche T A = 25°C salvo indicazione contraria

Simbolo	Parametro	Valore							Unità
		10A	10B	10D	10G	10J	10K	10m
VF	Tensione di andata @ 1,0 A	1,3							V
t rr	Tempo di recupero inverso I F = 0,5 A, I R = 1,0 A, I rr = 0,25 A	150				250	500		A
I R	La corrente inversa @ ha valutato la V LA R T A = 25°C T A = 150°C	5,0 200							uA uA
C T	Capacità totale V R = 4,0 V, f = 1,0 megahertz	15							PF

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il vetro ultraveloce del diodo di raddrizzatore di recupero 1Amp ha passivato 50-1000V RGP10A-M DO-41 0

il vetro ultraveloce del diodo di raddrizzatore di recupero 1Amp ha passivato 50-1000V RGP10A-M DO-41 1

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: Bixia Wu

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