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Diodo Zener di superficie BZV55C2V4-BZV55C75 del silicio del supporto con alta affidabilità

Porcellana Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Certificazioni
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Diodo Zener di superficie BZV55C2V4-BZV55C75 del silicio del supporto con alta affidabilità

Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability
Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability Surface Mount Silicon Zener Diode BZV55C2V4-BZV55C75 With High Reliability

Grande immagine :  Diodo Zener di superficie BZV55C2V4-BZV55C75 del silicio del supporto con alta affidabilità

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: XUYANG
Certificazione: ISO9001/RoHS
Numero di modello: BZV55C2V4 - BZV55C75

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 2500pcs
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: nastro in bobina, 2500pcs/reel
Tempi di consegna: 5-7 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione: 500000pcs per momth
Descrizione di prodotto dettagliata
numero parte: BZV55C2V4 - BZV55C75 Tensione: 2.4-75V
energia: 500mW Pacchetto: SOD-80/LL-34
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C Spedizione vicino: DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mare
Evidenziare:

surface mount diode

,

dioda zener smd

Del supporto del silicio 0,5 volt di superficie di tolleranza BZV55C2V4 del ± 5% di watt da 2,4 a 75 del diodo Zener con BZV55C75

 

DESCRIZIONE:
Il BZV55C2V4 al diodo Zener del silicio del supporto della superficie di serie di BZV55C75V è un'alta qualità,

pozzo costruito, componente altamente affidabile progettata per uso in tutti i tipi di commerciali, industriali,

spettacolo, computer ed applicazioni automobilistiche.

 

 

Valutazioni massime assolute

Tj=25℃

Parametro Condizioni di prova Simbolo Valore Unità
Corrente di andata media   IO 200 mA
Corrente di andata ripetitiva di punta   IFRM 250 mA
Dissipazione di potere Amb ≤75℃ di T PD 500 Mw

Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento

Temperatura di giunzione

  TJ, TSTG -65~+200

 

Caratteristiche elettriche

(TA=25°C), VF=0.9V max @ IF=10mA PER TUTTI I TIPI.

Tipo

No.

Gamma di tensione di Zener

VZ @ IZT

Verifichi la corrente

Zener massimo

Impedenza

Inverso di massimo

Corrente

Massimo

Corrente di Zener

IZT

ZZT @ IZT
  1.  
IR @ VR

ILAZM

Nom (v) Min (v) (v) massimo

mA

Ω

Ω mA

μA

Volt

mA

BZV55C2V4

2,4

2,280

2,520

5,0

100

600

1,0

50

1,0

208

BZV55C2V7

2,7

2,565

2,835

5,0

100

600 1,0

20

1,0

185
BZV55C3V0

3,0

2,850

3,150

5,0

95

600 1,0

10

1,0

167

BZV55C3V3

3,3

3,135

3,465

5,0

95

600 1,0

5,0

1,0

152

BZV55C3V6

3,6

3,420

3,780

5,0

90

600 1,0

5,0

1,0

139

BZV55C3V9

3,9

3,705

4,095

5,0 90 600 1,0

3,0

1,0

128

BZV55C4V3

4,3

4,085

4,515

5,0 90 600 1,0

3,0

1,0

116

BZV55C4V7

4,7

4,465

4,935

5,0

80

500

1,0

3,0

2,0

106

BZV55C5V1

5,1

4,845

5,355

5,0

60

480

1,0

2,0

2,0

96

BZV55C5V6

5,6

5,320

5,880

5,0

40

400

1,0

1,0

2,0

89

BZV55C6V2

6,2

5,890

6,510

5,0

10

150

1,0

3,0

4,0

81

BZV55C6V8

6,8

6,460

7,140

5,0

15

80 1,0

2,0

4,0

74

BZV55C7V5

7,5

7,125

7,875

5,0 15 80 1,0

1,0

5,0

67

BZV55C8V2

8,2

7,790

8,610

5,0 15 80 1,0

0,7

5,0

61

BZV55C9V1

9,1

8,645

9,555

5,0 15

100

1,0

0,5

6,0

55

BZV55C10

10

9,500

10,50

5,0

20

150 1,0

0,1

7,0

50

BZV55C11

11

10,45

11,55

5,0

20

150 1,0

0,1

8,0

45

BZV55C12

12

11,40

12,60

5,0

25

150 1,0

0,1

8,0

42

BZV55C13

13

12,35

13,65

5,0

30

170

1,0

0,1

8,0

38

BZV55C15

15

14,25

15,75

5,0

30

200

1,0

0,05

10,5

33

BZV55C16

16

15,20

16,80

5,0

40

200

1,0 0,05

11,2

31

BZV55C18

18

17,10

18,90

5,0

45

225

1,0 0,05

12,6

28

BZV55C20

20

19,00

21,00

5,0

55

225

1,0 0,05

14,0

25

BZV55C22

22

20,90

23,10

5,0

55

250

1,0 0,05

15,4

23

BZV55C24

24

22,80

25,20

5,0

70

250

1,0 0,05

16,8

21

BZV55C27

27

25,65

28,35

2,0

80

300

0,5 0,05

18,9

19

BZV55C30

30

28,50

31,50

2,0 80

300

0,5 0,05

21,0

17

BZV55C33

33

31,35

34,65

2,0 80

325

0,5 0,05

23,1

15

BZV55C36

36

34,20

37,80

2,0

90

350

0,5 0,05

25,2

14

BZV55C39

39

37,05

40,95

2,0

130

350

0,5 0,05

27,3

13

BZV55C43

43

40,85

45,15

2,0

150

375

0,5 0,05

30,1

12

BZV55C47

47

44,65

49,35

2,0

170

375

0,5 0,05

32,9

11

BZV55C51

51

48,45

53,55

2,0

180

400

0,5 0,05

35,7

9,9

BZV55C56

56

53,20

58,80

2,0

200

425

0,5 0,05

39,2

8,9

BZV55C62

62

58,90

65,10

2,0

215

450

0,5 0,05

43,4

8,0

BZV55C68

68

64,60

71,40

2,0

240

475

0,5 0,05

47,6

7,4

BZV55C75

75

71,25

78,75

2,0

255

500

0,5 0,05

52,5

6,7

 

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Diodo Zener di superficie BZV55C2V4-BZV55C75 del silicio del supporto con alta affidabilità 0

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