diodo di commutazione ad alta velocità di 0.15A 75V 4.0nS 1N4148 con il caso di vetro DO-35

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Name: diodo di commutazione ad alta velocità di 0.15A 75V 4.0nS 1N4148 con il caso di vetro DO-35
Brand: XUYANG
SKU: 1N4148

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

nome:	Diodo di commutazione	numero parte:	1N4148
VR:	75V	Pacchetto:	DO-35
Stato senza piombo:	Senza piombo/RoHS	Spedizione vicino:	DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ mare
Evidenziare:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

diodo di commutazione ad alta velocità del pacchetto di 0.15A 75V 4.0nS DO-35 1N4148

Caratteristiche

• Diodo planare epitassiale del silicio

• Diodo di commutazione veloce.

• Questo diodo è inoltre disponibile in altri stili di caso compreso il caso SOD-123 con il tipo

designazione 1N4148W, il caso di MiniMELF con il tipo designazione LL4148, il SOT-23

caso con il tipo designazione IMBD4148.

Dati meccanici

Caso: Caso di vetro DO-35

Peso: approssimativamente 0.13g

Disegno:

Valutazioni massime e caratteristiche termiche (TUM = 25°C salvo indicazione contraria)

Parametro	Simbolo	Limite	Unità
Tensione inversa	VR	75	V
Tensione inversa di punta	VRM	100	V
La media ha rettificato la corrente Rettifica a semi onda con il carico resistivo a Tamb = a 25°C	SE (AVOIRDUPOIS)	150	mA
Corrente di andata dell'impulso alla t < 1s="" and="" Tj="25°C	IFSM	500	mA
Dissipazione di potere a Tamb = a 25°C	Ptot	500	Mw
Giunzione di resistenza termica ad aria ambientale	RθJA	350	°C/W
Temperatura di giunzione	Tj	175	°C
Temperatura di stoccaggio	ST	– 65 - +175	°C

Caratteristiche elettriche (TJ = 25°C salvo indicazione contraria)

Parametro	Simbolo	Condizione di prova	Min	Tipo	Massimo	Unità
Tensione di ripartizione inversa	V (BR) R	IR = 100μA	100			V
Tensione di andata	VF	SE = 10mA	—	—	1,0	V
Corrente di perdita	IR	VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C	—	—	25 5 50	Na μA μA
Capacità	Ctot	VF = VR = 0V	—	—	4	PF
Aumento di tensione quando accendono (provato con gli impulsi 50mA)	Vfr	tp = 0.1μs, tempo di aumento < 30ns=""> fp = 5 a 100kHz	—	—	2,5	NS
Tempo di recupero inverso	trr	SE = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω	—	—	4	NS
Efficienza di rettifica	nanovolt	f = 100MHz, VRF = 2V	0,45	—	—	—